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四點(diǎn)探針系統(tǒng)

    作為物理學(xué)研究所獲獎(jiǎng)的Ossila太陽能電池原型平臺(tái)的一部分,Ossila的四點(diǎn)探針系統(tǒng)是一種易于使用的工具,用于快速測量薄片電阻、電阻率和材料的導(dǎo)電性。

    更新時(shí)間:2023-10-23 09:32:34
  1. 詳細(xì)信息

四點(diǎn)探針系統(tǒng)

快速準(zhǔn)確的特性,適用于各種材料

概述

作為物理學(xué)研究所獲獎(jiǎng)的Ossila太陽能電池原型平臺(tái)的一部分,Ossila的四點(diǎn)探針系統(tǒng)是一種易于使用的工具,用于快速測量薄片電阻、電阻率和材料的導(dǎo)電性

使用我們自己的源測量單元,我們已經(jīng)能夠創(chuàng)建一個(gè)低成本的系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)廣泛的測量范圍。探頭使用彈簧接點(diǎn)而不是尖銳的針頭,可以避免對(duì)精密樣品的損壞,例如厚度為納米級(jí)的聚合物薄膜*。

該系統(tǒng)包括一個(gè)四點(diǎn)探針,源測量單元,和易操作PC軟件-使更多的實(shí)驗(yàn)室可以測量薄片電阻。我們提供2年免費(fèi)保修

注射泵4.png 

* 該系統(tǒng)不適用于測量形成天然絕緣氧化物(如硅)的材料的性能.

功能特征

寬電流范圍- 4點(diǎn)探能夠發(fā)出1 μA150毫安之間電流,可測量電壓范圍從低至100 μV10 V。該系統(tǒng)可以測量薄板電阻范圍100 mΩ/□10 MΩ/□,可兼容材料范圍十分廣泛。

 

易于使用-只需插入系統(tǒng),安裝軟件,你就可以開始了!直觀的界面和簡潔的設(shè)計(jì)使四點(diǎn)探針系統(tǒng)易于使用,簡化了片材電阻的測量。可以使用各種形狀和尺寸的基片。

高精度-正極性和負(fù)極性的測量可以通過PC軟件執(zhí)行。這使您能夠計(jì)算正負(fù)電流之間的平均薄片電阻-從而消除可能發(fā)生的任何電壓偏移,從而提高測量的精度。

 

無損檢測-設(shè)計(jì)時(shí)考慮到精密樣品的測量,四個(gè)探針頭全部采用鍍金,溫和的圓形探針頭彈簧負(fù)載接觸方式。這會(huì)有60克的持續(xù)接觸力,防止探頭穿透脆弱的薄膜的同時(shí),仍然提供良好的電接觸。

 

節(jié)省空間的設(shè)計(jì)-通過仔細(xì)的設(shè)計(jì)考慮,我們已經(jīng)能夠保持四個(gè)探針的占地面積到最小(總工作臺(tái)面積為14.5厘米x 24厘米),即使在繁忙的空間緊張實(shí)驗(yàn)室,仍然可以使用本系統(tǒng)。

 

快速材料表征- PC軟件(包括系統(tǒng))執(zhí)行所有必要的測量和計(jì)算薄片電阻,電阻率和電導(dǎo)率-使材料表征毫不費(fèi)力。它還可以自動(dòng)進(jìn)行校正因子計(jì)算。

 圖片1.png

常見問題解答

什么樣的樣品厚度與系統(tǒng)匹配?

四點(diǎn)探針系統(tǒng)是專門設(shè)計(jì)用來測量納米范圍內(nèi)的薄膜。例如,我們成功地在PET上測量了PH100030 - 40 nmPEDOT:PSS薄膜和< 100 nm的銀納米線薄膜,薄膜中沒有產(chǎn)生空洞。有關(guān)更深入的解釋,請(qǐng)參閱我們的應(yīng)用說明:薄膜的薄片電阻測量。

我是否需要自己的源測量單位(源表)?

該系統(tǒng)有一個(gè)內(nèi)置的Ossila源測量單元(SMU),所以您不需要再買了。

該系統(tǒng)能測量的電阻率/電導(dǎo)率范圍有多大?

當(dāng)系統(tǒng)測量樣品的薄片電阻時(shí),無法給出可測量電阻率或電導(dǎo)率的一般范圍。這是因?yàn)榭蓽y量的電阻率范圍取決于被測樣品的厚度。試樣的電阻率可由其薄片電阻和厚度計(jì)算,公式如下:

 

該系統(tǒng)測量范圍100 mΩ/□10 MΩ/□之間,所以如果我們使用上述公式中的這些值, 測量的樣品厚度是50 nm的話,那么該系統(tǒng)可以測量的電阻率(電導(dǎo)率)范圍將是5 nΩ.m500 mΩ.m(2S/m ~ 200MS /m)。如果樣品為400μm厚,則系統(tǒng)的電阻率(電導(dǎo)率)范圍為40μΩ.m4 kΩ.m (250μS/m ~ 25ks/m)。下表為系統(tǒng)測量不同數(shù)量級(jí)厚度樣品的電阻率和電導(dǎo)率范圍:

樣品厚度

電阻率范圍

電導(dǎo)率范圍

10 nm

1 n?.m - 100 m?.m

10 S/m - 1 GS/m

100 nm

10 n?.m - 1 ?.m

1 S/m - 100 MS/m

1 μm

100 n?.m - 10 ?.m

100 mS/m - 10 MS/m

10 μm

1 μ?.m - 100 ?.m

10 mS/m - 1 MS/m

100 μm

10 μ?.m - 1 k?.m

1 mS/m - 100 kS/m

1 mm

100 μ?.m - 10 k?.m

100 μS/m - 10 kS/m

你們能提供其它探頭設(shè)計(jì)嗎?

目前我們提供單一探針布局,即探針間距1.27 mm的線性探針,探針直徑0.48 mm,以及60 g的彈簧壓力。這使我們能夠提供的價(jià)格合理的四點(diǎn)探系統(tǒng),同時(shí)仍然提供可靠和準(zhǔn)確的薄片電阻測量。

這個(gè)價(jià)格包括所有配置嗎?

是的,產(chǎn)品頁面上顯示的一切都包括在內(nèi)! -測量單元,四點(diǎn)探頭,線性平移平臺(tái),軟件,甚至ito涂層玻璃基!

技術(shù)規(guī)格

測量規(guī)格

電壓范圍

±100 μV ~ ±10 V

電流范圍

±1 μA~ ±150 mA

薄層電阻范圍

100 mΩ/□~ 10 MΩ/□ (歐姆每平方英尺)

 

薄層電阻

準(zhǔn)確性*

精確度**

測量范圍

100 mΩ/□

±8%

±3%

1

1 Ω/□

±2%

±0.5%

1

10 Ω/□

±1%

±0.5%

1

100 Ω/□

±1%

±0.05%

2

1 kΩ/□

±1%

±0.03%

2

10 kΩ/□

±1%

±0.02%

3

100 kΩ/□

±2%

±0.05%

4

1 MΩ/□

±8%

±0.5%

5

10 MΩ/□

±30%

±5%

5

*準(zhǔn)確性是與真實(shí)值相比較的最大偏差.

** 精度是同一測量值之間的最大偏差(用于比較測量).

 

物理規(guī)格

探針距離

1.27 mm

矩形樣品尺寸范圍

長邊最小: 5 mm
短邊最大: 60 mm

圓形樣本尺寸范圍(直徑)

5 mm ~ 76.2 mm

最大樣本厚度

10 mm

外形尺寸

: 145 mm
: 150 mm
: 240 mm

 圖片2.png

 

軟件

· 界面簡潔直觀

· 數(shù)據(jù)保存到.csv文件

· 計(jì)算已知厚度樣品的電阻率和電導(dǎo)率

· 自動(dòng)校正因子計(jì)算

直觀和用戶友好的獨(dú)立PC程序用于控制四點(diǎn)探針測量,快速表征材料,而不需要用戶自己編寫任何代碼。該PC軟件可為給定的樣本幾何形狀計(jì)算適當(dāng)?shù)膸缀涡拚?/span>數(shù),確保準(zhǔn)確的結(jié)果。如果提供了樣品厚度,它還可以計(jì)算樣品的電阻率和電導(dǎo)率,以便對(duì)材料進(jìn)行廣泛的電氣表征。

圖片3.png

薄板電阻Lite測量軟件

 

圖片4.png100nm ITO薄膜的四點(diǎn)探針測量(S111)

該軟件將數(shù)據(jù)保存到逗號(hào)分隔值(.csv)文件,方便將數(shù)據(jù)導(dǎo)入到您喜歡的分析軟件。高級(jí)設(shè)置讓您對(duì)測量有更大的控制,允許您設(shè)置電壓和電流限制,執(zhí)行負(fù)極性測量,或使用不同間隔的探針。



軟件要求

操作系統(tǒng)

Windows 10 (32-bit or 64-bit)

CPU

Dual Core 2 GHz

RAM

2 GB

可用硬盤空間

178 MB

顯示器分辨率

1440 x 900

接口

USB 2.0, or Ethernet (requires DHCP)

 

應(yīng)用

材料特性描述-電阻率是材料的固有特性,是一種重要的電學(xué)性質(zhì)。它可以通過測量已知厚度的薄膜的薄片電阻來確定,使四點(diǎn)探針測量成為材料電學(xué)表征的關(guān)鍵技術(shù)。

圖片5.png 

薄膜太陽能電池和發(fā)光二極管-薄膜設(shè)備(如鈣鈦礦太陽能電池或有機(jī)發(fā)光二極管)需要橫向傳輸電荷的薄導(dǎo)電電極來提取。因此,在這一階段,需要使用低薄片電阻的材料來減少潛在的損失。當(dāng)嘗試放大這些設(shè)備時(shí),這就變得更加重要了,因?yàn)殡姾稍诒惶崛〕鰜碇氨仨氀刂姌O走得更遠(yuǎn)。

請(qǐng)注意,這個(gè)系統(tǒng)不適合硅或其他自然形成絕緣氧化物層的材料。要測量這類材料,需要用探針穿透氧化層,這可能無法用該系統(tǒng)使用的彈簧加載的圓形探針。

理論

點(diǎn)探針是測量材料薄片電阻常用的設(shè)備。薄片電阻是一種材料的電阻率除以它的厚度,表示橫向電阻通過一個(gè)薄的方形導(dǎo)電/半導(dǎo)體材料。這種測量方法使用四個(gè)探針排列在一條線上,每個(gè)探針之間的間距相等。外部兩個(gè)探頭之間通過電流,導(dǎo)致內(nèi)部兩個(gè)探頭之間的電壓降低。通過測量電壓的這種變化,可以用下面的等式來計(jì)算薄片電阻

圖片7.png 

這里,I外加電流,ΔV是內(nèi)側(cè)兩個(gè)探頭之間的電壓下降。這個(gè)方程的結(jié)果還必須乘以一個(gè)幾何修正因數(shù),該修正因數(shù)基于樣品的形狀、大小和厚度。這就解釋了通過樣本的可能影響測量值電流路徑的局限性

圖片6.png

在我們的薄板電阻理論指南中可以找到關(guān)于薄板電阻理論背后的理論、幾何校正因數(shù)和四點(diǎn)探針技術(shù)的更深入的解釋。

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